太阳能电池发电系统的组成原理图 太阳能发电系统由 太阳能电池组、 太阳能控制器、 蓄电池 （组）组成。 如输出电源为交流 220V 或 110V ，还需要配置 逆变器 。各部分的 作用为： （一）太阳能电池板：太阳能电池板 是太阳能发电系统中的 核心部分 ， 也是太阳能发电系统中 价值最高的部分 。其作用是将太阳的辐射能力 转换为电能，或送往蓄电池中存储起来，或推动负载工作。 太阳能电 池板的质量和成本将直接决定整个系统的质量和成本。 （二）太阳能控制器： 太阳能控制器的作用是控制整个系统的工作状 态，并对蓄电池起到过充电保护、过放电保护的作用。在温差较大的 地方，合格的控制器还应具备温度补偿的功能。 其他附加功能如光控 开关、时控开关都应当是控制器的可选项。 （三）蓄电池：一般为铅酸电池，小微型系统中，也可用镍氢电池、 镍镉电池或锂电池。 其作用是在有光照时将太阳能电池板所发出的电 能储存起来，到需要的时候再释放出来。 （四）逆变器：在很多场合，都需要提供 220VAC 、110VAC 的交 流电源。由于太阳能的直接输出一般都是 12VDC 、24VDC 、48VDC 。 为能向 220VAC 的电器提供电能，需要将太阳能发电系统所发出的 直流电能转换成交流电能，因此需要使用 DC-AC 逆变器。在某些场 合，需要使用多种电压的负载时，也要用到 DC-DC 逆变器，如将 24VDC 的电能转换成 5VDC 的电能（注意，不是简单的降压）。 太阳能发电系统的设计需要考虑如下因素： Q1 、 太阳能发电系统在哪里使用？该地日光辐射情况如何？ Q2 、 系统的负载功率多大？ Q3 、 系统的输出电压是多少，直流还是交流？ Q4 、 系统每天需要工作多少小时？ Q5 、 如遇到没有日光照射的阴雨天气，系统需连续供电多少天？ Q6 、 负载的情况，纯电阻性、电容性还是电感性，启动电流多大？ Q7 、 系统需求的数量？ 太阳能电池板海关编码 , HS 编码 , 太阳能电池板出口常用资料 . 1. 太阳能电池板海关编码 (H.S 编码 ) 及退税率 : /photovoltaic 2. 太阳能电池组件出口欧美需要的认证 : 1) 出口欧洲需要通过 IEC EN61215, 非晶硅太阳能电池组需要通 IEC EN61646. 电力逆变器需通过 IEC/EN 61209-1 的安全认证。 /photovoltaic 2) 出口美国需要通过 UL认证 . (1) UL 1703, 平板型太阳能组件安全认证标准 (2) UL 4703 光伏电线 太阳能发电系统用逆变器、电源转换器、控制器及连接设备至供电 系统安全标准 . 什么是 AM1.5? 太阳能标准测试条件 AM1.5、1000W/m2、25℃解释 2 1、标准测试条件 AM1.5、1000W/m、25℃解释？ /photovoltaic 2 AM1.5、1000W/m、25℃是 IEC61646-- 地面用薄膜型光伏组件设计和定型 (GB/T18911-2002) 的测试标准。也是 GB/T11011-1989-- 非晶硅太阳电池电性能 测试的一般规定的测试标准。 AM的意思是 air-mass （大气质量）， 定义是： Path-length through the atmosphere relative to vertical thickness of the atmosphere ，就是光线 通过大气的实际距离比上大气的垂直厚度。 AM1.5 就是光线通过大气的实际距离 为大气垂直厚度的 1.5 倍。 /photovoltaic 2 1000W/m是标准测试太阳电池的光线oC的温度下工作。太阳电池效率会随温度升高有一定下降， 它在使用时温度会升高， 再由温度系数就可以得出他工作时的电压电流和输出功 率。 2、为什么会有光致衰减（ S-W效应） ? 光致衰减也称 S-W效应。 a- Si ∶H薄膜经较长时间的强光照射或电流通过， 在其内部将产生缺陷而使薄膜的性能下降，称为 Staebler-Wronski 效应（ D.L. Staebler 和 C.R.Wronski 最早发现的）。 对 S-W效应的起因，至今仍有不少争议，造成衰退的微观机制也尚无定论， 成为迄今国内外非晶硅材料研究的热门课题。总的看法认为， S-W效应起因于光 照导致在带隙中产生了新的悬挂键缺陷态 ( 深能级 ) ，这种缺陷态会影响 a- Si ∶H 薄膜材料的费米能级 E 的位置，从而使电子的分布情况发生变化，进而一方面 f 引起光学性能的变化， 另一方面对电子的复合过程产生影响。 这些缺陷态成为电 子和空穴的额外复合中心，使得电子的俘获截面增大、寿命下降。 在 a- Si ∶H薄膜材料中，能够稳定存在的是 Si-H 键和与晶体硅类似的 Si-Si 键，这些键的键能较大，不容易被打断。由于 a- Si ∶H材料结构上的无序，使得 一些 Si-Si 键的键长和键角发生变化而使 Si-Si 键处于应变状态。 高应变 Si-Si 键的化学势与 H 相当，可以被外界能量打断，形成 Si-H 键或重新组成更强的 Si-Si 键。如果断裂的应变 Si-Si 键没有重构，则 a- Si ∶H 薄膜的悬挂键密度增 加。为了更好地理解 S-W效应产生的机理并控制 a- Si ∶H薄膜中的悬挂键， 以期 寻找稳定化处理方法和工艺， 20 多年来，国内外科学工作者进行了不懈的努力， 提出了大量的物理模型， 主要有弱键断裂 (SJT) 模型、 “H玻璃”模型、 H碰撞模 型、 Si-H-Si 桥键形成模型、“ defect pool ”模型等，但至今仍没有形成统一 的观点。 3、晶体硅太阳电池使用寿命、衰减趋势、衰减率？ 常规晶体
2024年国家公务员考试行测行政职业能力测验(行政执法)测试试题与参考答案.docx
原创力文档创建于2008年，本站为文档C2C交易模式，即用户上传的文档直接分享给其他用户（可下载、阅读），本站只是中间服务平台，本站所有文档下载所得的收益归上传人所有。原创力文档是网络服务平台方，若您的权利被侵害，请发链接和相关诉求至 电线) ，上传者